DMN32D2LDF-7

通用源双N沟道增强型场效应晶体管特点•通用源双N沟道MOSFET•低导通电阻•非常低的栅极阈值电压，1.2V最大•低输入电容•开关速度快•低输入/输出漏•小型表面贴装封装•ESD保护门•对无铅要求..

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| 30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage| 10V 最大漏极电流IdDrain Current| 400mA/0.4A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 2.2Ω@ VGS = 1.8V, ID = 20mA 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| 0.6~1.2V 耗散功率PdPower Dissipation| 280mW/0.28W Description & Applications| COMMON SOURCE DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features • Common Source Dual N-Channel MOSFET • Low On-Resistance • Very Low Gate Threshold Voltage, 1.2V max • Low Input Capacitance • Fast Switching Speed • Low Input/Output Leakage • Small Surface Mount Package • ESD Protected Gate • Lead Free By Design/RoHS Compliant • "Green" Device • Qualified to AEC-Q 101 Standards for High Reliability 描述与应用| 通用源双N沟道增强型场效应 特点 •通用源双N沟道MOSFET •低导通电阻 •非常低的栅极阈值电压，1.2V最大 •低输入电容 •开关速度快 •低输入/输出漏 •小型表面贴装封装 •ESD保护门 •对无铅要求的设计/符合限制有害物质指令（RoHS）规范要求 •“绿色”设备 •符合AEC-Q101标准的高可靠性