射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 RFP-LD10M
Summary of Features:
- 280 W P1dB output power
\- 52% efficiency
\- 18 dB gain
- 56 W avg. output power
\- 24% efficiency
- 18.0 dB
| 型号 | 品牌 | 下载 |
|---|---|---|
| PTFC262808SVV1R250XTMA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
| PTFC270051MV2R1KXUMA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
| PTFC270101MV1R1KXUMA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
| PTFC210202FCV1XWSA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
| PTFC210202FCV1R250XTMA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
| PTFC260202FCV1R250XTMA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
| PTFC260202FCV1XWSA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
| PTFC260362SCV1R250XTMA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
| PTFC261402FCV1R250XTMA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
| PTFC261402FCV1XWSA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
| PTFC262157FHV1R250XTMA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |