属性 | 参数值 |
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品牌: | Toshiba Semiconductor and Storage |
包装: | 剪切带(CT),卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | |
零件状态: | 不适用于新设计 |
晶体管类型: | NPN |
电压 - 集射极击穿(最大值): | 30V |
频率 - 跃迁: | 550MHz |
噪声系数(dB,不同 f 时的典型值): | 5dB 100MHz |
增益: | 23dB |
功率 - 最大值: | 100mW |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): | 40 1mA,6V |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): | 20mA |
工作温度: | 125°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | SC-70,SOT-323 |
供应商器件封装: | SC-70 |
温度: | 125°C(TJ) |
型号:
品牌:
供货:锐单
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