2N7002T
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):300mA 功率(Pd):350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.8Ω@10V,300mA
品牌:TECH PUBLIC
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
2N7002T
MOSFETs SOT523 N-Channel VDS=60V ID=115mA PD=150mW
品牌:JSCJ
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
2N7002T
N沟道 耐压:60V 电流:300mA
品牌:
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
2N7002T
N沟道 耐压:60V 电流:115mA
品牌:SHIKUES
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
2N7002T
2N7002T
品牌:
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
2N7002T
N沟道 耐压:60V 电流:115mA 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):115mA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3Ω@10V 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V
品牌:
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
2N7002T
2N7002T VBSEMI/台湾微碧半导体
品牌:VBsemi
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
2N7002T
2N7002T VBSEMI/台湾微碧半导体
品牌:VBsemi
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
2N7002T
2N7002T VBSEMI/台湾微碧半导体
品牌:VBsemi
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
2N7002T
2N7002T VBSEMI/台湾微碧半导体
品牌:VBsemi
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
2N7002T
MOSFET
品牌:Diodes Incorporated
库存:0
货期: 7~10工作日
2N7002T
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-523FL T/R
品牌:
库存:0
货期: 7~10工作日
2N7002T
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-523FL T/R
品牌:ON Semiconductor
库存:0
货期: 7~10工作日
2N7002T
场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 115mA, SOT-523F-3
品牌:onsemi
库存:0
货期: 7~10工作日
2N7002T
Days to ship 8
品牌:onsemi
库存:0
货期: 7~10工作日
2N7002T
Days to ship 3
品牌:onsemi
库存:0
货期: 7~10工作日
2N7002T
N-Channel 60 V 7.5 Ohm SMT Enhancement Mode Field Transistor SOT-523F
品牌:onsemi
库存:0
货期: 7~10工作日
2N7002T
MOSFET, N CH, 60V, 115MA, SOT-523F-3
品牌:onsemi
库存:0
货期: 7~10工作日
2N7002T
onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 115 mA, SOT-523 (SC-89)封装, 表面贴装, 3引脚
品牌:onsemi
库存:0
货期: 7~10工作日
属性 | 参数值 |
---|---|
品牌: | onsemi |
包装: | 剪切带(CT),卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 60 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 115mA(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 7.5 欧姆 50mA,5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2V 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | - |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 50 pF 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 200mW(Ta) |
工作温度: | 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | SC-89-3 |
封装/外壳: | SC-89,SOT-490 |
温度: | 150°C(TJ) |
型号:
品牌:
供货:锐单
单价:
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00