DMT10H009LH3

DigiKey

DMT10H009LH3

MOSFET BVDSS: 61V-100V TO251

品牌:Diodes Incorporated

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 75+ ¥8.561387
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Mouser

DMT10H009LH3

MOSFET BVDSS: 61V-100V TO251

品牌:Diodes Incorporated

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: +
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艾睿

DMT10H009LH3

Trans MOSFET N-CH 100V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

品牌:

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 75+ ¥11.076043
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DMT10H009LH3

属性 参数值
品牌: Diodes Incorporated
包装: 管件
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 84A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 9 毫欧 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 20.2 nC 4.5 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2309 pF 50 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 96W(Tc)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-251
封装/外壳: TO-251-3 短截引线,IPak
温度: -55°C # 150°C(TJ)

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