DMTH6004SK3-13

DMTH6004SK3-13

MOSFET N-CHA 60V 100A DPAK

品牌:Diodes Incorporated

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 10+ ¥25.616304
最低起订

自营

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品牌:Diodes Incorporated

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥6.133699
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品牌:Diodes Incorporated

库存:1000 +

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销售单价: 10+ ¥13.227327
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自营

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品牌:Diodes Incorporated

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 2500+ ¥4.162443
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DigiKey

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品牌:Diodes Incorporated

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 2500+ ¥7.192686
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品牌:Diodes Incorporated

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销售单价: 1+ ¥16.927747
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销售单价: 1+ ¥16.186391
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Mouser

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销售单价: 1+ ¥18.871044
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DMTH6004SK3-13

属性 参数值
品牌: Diodes Incorporated
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: Automotive, AEC-Q101
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 100A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 3.8 毫欧 90A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 95.4 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 4556 pF 30 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 3.9W(Ta),180W(Tc)
工作温度: -55°C # 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-252-3
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
温度: -55°C # 175°C(TJ)

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