DMG1016VQ-7

自营

DMG1016VQ-7

MOSFET N/P-CH 20V SOT563

品牌:Diodes Incorporated

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 3000+ ¥1.280152
最低起订

DigiKey

DMG1016VQ-7

MOSFET N/P-CH 20V SOT563

品牌:Diodes Incorporated

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 3000+ ¥2.212098
最低起订

DMG1016VQ-7

MOSFET N/P-CH 20V SOT563

品牌:Diodes Incorporated

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥6.301571
最低起订

DMG1016VQ-7

MOSFET N/P-CH 20V SOT563

品牌:Diodes Incorporated

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ 需询价
最低起订

Mouser

DMG1016VQ-7

MOSFET N/P-CH 20V SOT563

品牌:Diodes Incorporated

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: +
最低起订

艾睿

DMG1016VQ-7

Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R

品牌:

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 3000+ ¥2.11718
最低起订

DMG1016VQ-7

属性 参数值
品牌: Diodes Incorporated
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: N 和 P 沟道
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 870mA,640mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 400 毫欧 600mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.74nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 60.67pF 16V
功率 - 最大值: 530mW
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOT-563,SOT-666
供应商器件封装: SOT-563
温度: -55°C # 150°C(TJ)

锐单logo

型号:

品牌:

供货:锐单

库存: MPQ:4000 MOQ:1

单价:

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥0.00

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台