DMN61D8LVTQ-7

DMN61D8LVTQ-7

MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26

品牌:Diodes Incorporated

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 10+ ¥6.674544
最低起订

DMN61D8LVTQ-7

MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26

品牌:Diodes Incorporated

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 500+ ¥6.871662
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自营

DMN61D8LVTQ-7

MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26

品牌:Diodes Incorporated

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 3000+ ¥1.207231
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DigiKey

DMN61D8LVTQ-7

MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26

品牌:Diodes Incorporated

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 3000+ ¥2.086091
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DMN61D8LVTQ-7

MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26

品牌:Diodes Incorporated

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥5.867208
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DMN61D8LVTQ-7

MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26

品牌:Diodes Incorporated

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥5.867208
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Mouser

DMN61D8LVTQ-7

MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26

品牌:Diodes Incorporated

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥7.902735
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DMN61D8LVTQ-7

属性 参数值
品牌: Diodes Incorporated
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 630mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.8 欧姆 150mA,5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.74nC 5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 12.9pF 12V
功率 - 最大值: 820mW
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
供应商器件封装: TSOT-23
温度: -55°C # 150°C(TJ)

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