销售单价： 10+ ￥1.609179
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自营
销售单价： 1+ ￥1.539106
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销售单价： 10+ ￥1.256357
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DigiKey
销售单价： 3000+ ￥1.480333
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DMG6602SVTX-7
MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26
品牌：Diodes Incorporated
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 3000+ ￥1.422758
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DMG6602SVTX-7
MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26
品牌：Diodes Incorporated
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 1+ ￥5.286408
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DMG6602SVTX-7
MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26
品牌：Diodes Incorporated
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 1+ ￥5.286408
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Mouser
销售单价： 1+ ￥5.969862
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艾睿
DMG6602SVTX-7
Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.4A/2.8A 6-Pin TSOT-26 T/R
品牌：Diodes Zetex
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 3000+ ￥1.430419
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DMG6602SVTX-7
Days to ship 8
品牌：DIODES
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 3000+ ￥0.881056
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DMG6602SVTX-7
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | Diodes Incorporated |
| 包装: | 卷带（TR） |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | Automotive, AEC-Q101 |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 和 P 沟道互补型 |
| FET 功能: | 标准 |
| 漏源电压（Vdss）: | 30V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 3.4A（Ta），2.8A（Ta） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 60 毫欧 3.1A，10V，95 毫欧 2.7A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2.3V 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 13nC 10V，9nC 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 400pF 15V，420pF 15V |
| 功率 - 最大值: | 840mW（Ta） |
| 工作温度: | -55°C # 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商器件封装: | TSOT-23 |
| 温度: | -55°C # 150°C（TJ） |
型号：
品牌：
供货：锐单
库存： MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
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