DMN66D0LDW-7
DMN66D0LDW-7 JSMICRO/深圳杰盛微
品牌:JSMSEMI
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
DMN66D0LDW-7
MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT363
品牌:Diodes Incorporated
库存:0
货期: 7~10工作日
DMN66D0LDW-7
MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT363
品牌:Diodes Incorporated
库存:0
货期: 7~10工作日
DMN66D0LDW-7
MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT363
品牌:Diodes Incorporated
库存:0
货期: 7~10工作日
DMN66D0LDW-7
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SOT-363 T/R
品牌:
库存:0
货期: 7~10工作日
DMN66D0LDW-7
场效应管, MOSFET, 双路, N沟道, 60V, 0.115A
品牌:DIODES
库存:0
货期: 7~10工作日
DMN66D0LDW-7
DMN66D0LDW Series 60 V 115 mA 5 Ohm Dual N-Ch Enhancement Mode Mosfet - SOT-363
品牌:DIODES
库存:0
货期: 7~10工作日
DMN66D0LDW-7
MOSFET, DUAL, N-CH, 60V, 0.115A
品牌:DIODES
库存:0
货期: 7~10工作日
属性 | 参数值 |
---|---|
品牌: | Diodes Incorporated |
包装: | Tape & Reel (TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | Automotive, AEC-Q101 |
零件状态: | Active |
FET 类型: | 2 N-Channel (Dual) |
FET 功能: | Standard |
漏源电压(Vdss): | 60V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 115mA (Ta) |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 6Ohm 115mA, 5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2V 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | - |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 23pF 25V |
功率 - 最大值: | 250mW (Ta) |
工作温度: | -55°C # 150°C (TJ) |
安装类型: | Surface Mount |
封装/外壳: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
供应商器件封装: | SOT-363 |
温度: | -55°C # 150°C (TJ) |
型号:
品牌:
供货:锐单
单价:
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00