自营
DMN66D0LDW-7
DMN66D0LDW-7 JSMICRO/深圳杰盛微
品牌：JSMSEMI
库存：1000 +
货期： 1~2工作日
自营
DigiKey
DMN66D0LDW-7
MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT363
品牌：Diodes Incorporated
库存：0
货期： 7~10工作日
DMN66D0LDW-7
MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT363
品牌：Diodes Incorporated
库存：0
货期： 7~10工作日
DMN66D0LDW-7
MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT363
品牌：Diodes Incorporated
库存：0
货期： 7~10工作日
Mouser
艾睿
DMN66D0LDW-7
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SOT-363 T/R
品牌：
库存：0
货期： 7~10工作日
DMN66D0LDW-7
场效应管, MOSFET, 双路, N沟道, 60V, 0.115A
品牌：DIODES
库存：0
货期： 7~10工作日
DMN66D0LDW-7
DMN66D0LDW Series 60 V 115 mA 5 Ohm Dual N-Ch Enhancement Mode Mosfet - SOT-363
品牌：DIODES
库存：0
货期： 7~10工作日
DMN66D0LDW-7
MOSFET, DUAL, N-CH, 60V, 0.115A
品牌：DIODES
库存：0
货期： 7~10工作日
DMN66D0LDW-7
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | Diodes Incorporated |
| 包装: | Tape & Reel (TR) |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | Automotive, AEC-Q101 |
| 零件状态: | Active |
| FET 类型: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 功能: | Standard |
| 漏源电压（Vdss）: | 60V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 115mA (Ta) |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 6Ohm 115mA, 5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2V 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | - |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 23pF 25V |
| 功率 - 最大值: | 250mW (Ta) |
| 工作温度: | -55°C # 150°C (TJ) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 封装/外壳: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| 供应商器件封装: | SOT-363 |
| 温度: | -55°C # 150°C (TJ) |
型号：
品牌：
供货：锐单
单价：
货期：1-2天
单价：￥0.00总价：￥0.00