DMN53D0LQ-7

自营

DMN53D0LQ-7

MOSFET N-CH 50V 0.5A SOT23

品牌:Diodes Incorporated

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 5+ ¥0.591923
最低起订

DMN53D0LQ-7

MOSFET N-CH 50V 0.5A SOT23

品牌:Diodes Incorporated

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥0.384175
最低起订

DMN53D0LQ-7

MOSFET N-CH 50V 0.5A SOT23

品牌:Diodes Incorporated

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥0.297163
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DMN53D0LQ-7

MOSFET N-CH 50V 0.5A SOT23

品牌:Diodes Incorporated

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥0.60868
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DMN53D0LQ-7

MOSFET N-CH 50V 0.5A SOT23

品牌:Diodes Incorporated

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 100+ ¥0.32645
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DMN53D0LQ-7

MOSFET N-CH 50V 0.5A SOT23

品牌:Diodes Incorporated

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ 需询价
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DigiKey

DMN53D0LQ-7

MOSFET N-CH 50V 0.5A SOT23

品牌:Diodes Incorporated

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 3000+ ¥0.803842
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DMN53D0LQ-7

MOSFET N-CH 50V 0.5A SOT23

品牌:Diodes Incorporated

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥4.735073
最低起订

DMN53D0LQ-7

MOSFET N-CH 50V 0.5A SOT23

品牌:Diodes Incorporated

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥4.735073
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Mouser

DMN53D0LQ-7

MOSFET N-CH 50V 0.5A SOT23

品牌:Diodes Incorporated

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥5.850463
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艾睿

DMN53D0LQ-7

Trans MOSFET N-CH 50V 0.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

品牌:Diodes Zetex

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥5.350803
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DMN53D0LQ-7

场效应管, MOSFET, N沟道, 50V, 0.5A, SOT23

品牌:DIODES

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 5+ ¥2.884501
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DMN53D0LQ-7

Days to ship 9

品牌:DIODES

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 3000+ ¥0.403286
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DMN53D0LQ-7

Days to ship 9

品牌:DIODES

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 10+ ¥2.231519
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DMN53D0LQ-7

MOSFET, N-CH, 50V, 0.5A, SOT23

品牌:DIODES

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 5+ ¥3.089745
最低起订

DMN53D0LQ-7

属性 参数值
品牌: Diodes Incorporated
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: Automotive, AEC-Q101
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 50 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 500mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 2.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.6 欧姆 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.6 nC 4.5 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 46 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 370mW(Ta)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SOT-23-3
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
温度: -55°C # 150°C(TJ)

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供货:锐单

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