EPC2016C

自营

EPC2016C

GANFET N-CH 100V 18A DIE

品牌:EPC

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 2500+ ¥8.41395
最低起订

DigiKey

EPC2016C

GANFET N-CH 100V 18A DIE

品牌:EPC

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 2500+ ¥14.539277
最低起订

EPC2016C

GANFET N-CH 100V 18A DIE

品牌:EPC

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥32.221865
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EPC2016C

GANFET N-CH 100V 18A DIE

品牌:EPC

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥32.221865
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EPC2016C

属性 参数值
品牌: EPC
包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)
封装/外壳: *
系列: eGaN®
零件状态: Active
FET 类型: N-Channel
技术: GaNFET (Gallium Nitride)
漏源电压(Vdss): 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 18A (Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 16mOhm 11A, 5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 3mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 4.5 nC 5 V
Vgs(最大值): +6V, -4V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 420 pF 50 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): -
工作温度: -40°C # 150°C (TJ)
安装类型: Surface Mount
供应商器件封装: Die
封装/外壳: Die
温度: -40°C # 150°C (TJ)

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型号:

品牌:

供货:锐单

库存: MPQ:4000 MOQ:1

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