FDV303N
N沟道2A 30V
品牌:MSKSEMI
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
FDV303N
品牌:TECH PUBLIC
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
FDV303N
FDV303N UDU SEMICONDUTOR
品牌:UDU SEMICONDUTOR
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
FDV303N
FDV303N VBSEMI/台湾微碧半导体
品牌:VBsemi
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
FDV303N
FDV303N VBSEMI/台湾微碧半导体
品牌:VBsemi
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
FDV303N
FDV303N VBSEMI/台湾微碧半导体
品牌:VBsemi
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
FDV303N
FDV303N VBSEMI/台湾微碧半导体
品牌:VBsemi
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
FDV303N
FDV303N UMW/友台半导体
品牌:UMW
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
FDV303N
FDV303N VBSEMI/台湾微碧半导体
品牌:VBsemi
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
FDV303N
FDV303N UMW/友台半导体
品牌:UMW
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
FDV303N
FDV303N VBSEMI/微碧半导体
品牌:
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
FDV303N
FDV303N MSKSEMI/台湾美森科
品牌:MSKSEMI
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
FDV303N
FDV303N MSKSEMI(美森科)
品牌:
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
FDV303N
FDV303N HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
品牌:华轩阳电子
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
FDV303N
FDV303N 友台半导体
品牌:UMW
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
FDV303N
FDV303N 美森科
品牌:MSKSEMI
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
FDV303N
FDV303N null
品牌:
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
FDV303N
FDV303N 华轩阳电子
品牌:华轩阳电子
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
FDV303N
FDV303N 仙童
品牌:
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
FDV303N
FDV303N 德州仪器
品牌:TI
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
属性 | 参数值 |
---|---|
品牌: | onsemi |
包装: | 散装,剪切带(CT),卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 25 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 680mA(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 2.7V,4.5V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 450 毫欧 500mA,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 1.5V 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 2.3 nC 4.5 V |
Vgs(最大值): | ±8V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 50 pF 10 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 350mW(Ta) |
工作温度: | -55°C # 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | SOT-23-3 |
封装/外壳: | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
温度: | -55°C # 150°C(TJ) |
型号:
品牌:
供货:锐单
单价:
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00