自营
销售单价： 1+ ￥5.059326
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销售单价： 2500+ ￥7.755891
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销售单价： 10+ ￥3.730283
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销售单价： 10+ ￥11.764873
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FCD4N60TM
FCD4N60TM VBSEMI/微碧半导体
品牌：
库存：1000 +
货期： 1~2工作日
销售单价： 3+ ￥4.238297
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DigiKey
Mouser
销售单价： 1+ ￥16.937973
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艾睿
FCD4N60TM
Trans MOSFET N-CH 600V 3.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
品牌：ON Semiconductor
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 1+ ￥10.305502
最低起订
FCD4N60TM
场效应管, MOSFET, N, D-PAK 600V
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 1+ ￥10.843646
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FCD4N60TM
Days to ship 9
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 2500+ ￥7.040549
最低起订
FCD4N60TM
Days to ship 8
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 10+ ￥5.904564
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FCD4N60TM
N-Channel 600 V 3.9 A 1.2 Ohm Surface Mount SuperFET Mosfet - TO-252-3
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 2500+ ￥6.837982
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FCD4N60TM
MOSFET, N, 600V, D-PAK
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 1+ ￥10.457783
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FCD4N60TM
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | onsemi |
| 包装: | 剪切带（CT）,卷带（TR） |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | SuperFET™ |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 600 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 3.9A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 1.2 欧姆 2A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 5V 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 16.6 nC 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 540 pF 25 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 50W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C # 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | TO-252AA |
| 封装/外壳: | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 温度: | -55°C # 150°C（TJ） |
型号：
品牌：
供货：锐单
库存： MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00