自营
销售单价： 1+ ￥6.064635
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FQT3P20TF
FQT3P20TF VBSEMI/微碧半导体
品牌：
库存：1000 +
货期： 1~2工作日
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DigiKey
Mouser
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艾睿
FQT3P20TF
Trans MOSFET P-CH 200V 0.67A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
品牌：
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 4000+ ￥3.39829
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FQT3P20TF
onsemi P沟道增强型MOS管, Vds=200 V, 670 mA, SOT-223, 贴片安装, 3引脚, FQT3P20TF
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 5+ ￥5.596141
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FQT3P20TF
onsemi P沟道增强型MOS管, Vds=200 V, 670 mA, SOT-223, 贴片安装, 3引脚, FQT3P20TF
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 4000+ ￥4.207841
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FQT3P20TF
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | onsemi |
| 包装: | 剪切带（CT）,卷带（TR） |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | QFET® |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | P 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 200 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 670mA（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 2.7 欧姆 335mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 5V 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 8 nC 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 250 pF 25 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 2.5W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C # 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | SOT-223-4 |
| 封装/外壳: | TO-261-4，TO-261AA |
| 温度: | -55°C # 150°C（TJ） |
型号：
品牌：
供货：锐单
库存： MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
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