自营
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自营
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DigiKey
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Mouser
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艾睿
FCMT360N65S3
Trans MOSFET N-CH 650V 10A 4-Pin PQFN EP T/R
品牌：
库存：0
货期： 7~10工作日
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FCMT360N65S3
onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=650 V, 10 A, PQFN4封装, 表面贴装, 4引脚
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 20+ ￥20.558541
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FCMT360N65S3
onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=650 V, 10 A, PQFN4封装, 表面贴装, 4引脚
品牌：onsemi
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销售单价： 760+ ￥20.127976
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FCMT360N65S3
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | onsemi |
| 包装: | 剪切带（CT）,卷带（TR） |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | SuperFET® III |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 650 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 10A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 360 毫欧 5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4.5V 200µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 18 nC 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 730 pF 400 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 83W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C # 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | 4-PQFN（8x8） |
| 封装/外壳: | 4-PowerTSFN |
| 温度: | -55°C # 150°C（TJ） |
型号：
品牌：
供货：锐单
库存： MPQ：4000 MOQ：1
单价：
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