FDS4435BZ
FDS4435BZ
品牌:TECH PUBLIC
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
FDS4435BZ
P沟道 30V 9A
品牌:
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
FDS4435BZ
FDS4435BZ UDU SEMICONDUTOR
品牌:UDU SEMICONDUTOR
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
FDS4435BZ
FDS4435BZ TECH PUBLIC/台湾台舟电子
品牌:TECH PUBLIC
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
FDS4435BZ
FDS4435BZ JSMICRO/深圳杰盛微
品牌:JSMSEMI
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
FDS4435BZ
FDS4435BZ VBSEMI/台湾微碧半导体
品牌:VBsemi
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
FDS4435BZ
FDS4435BZ HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
品牌:华轩阳电子
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
FDS4435BZ
FDS4435BZ UDU SEMICONDUTOR
品牌:UDU SEMICONDUTOR
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
FDS4435BZ
FDS4435BZ VBSEMI/台湾微碧半导体
品牌:VBsemi
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
FDS4435BZ
FDS4435BZ HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
品牌:华轩阳电子
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
FDS4435BZ
FDS4435BZ UDU SEMICONDUTOR/佑德半导体
品牌:
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
FDS4435BZ
FDS4435BZ UMW/友台半导体
品牌:UMW
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
FDS4435BZ
FDS4435BZ TECH PUBLIC/台湾台舟电子
品牌:TECH PUBLIC
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
FDS4435BZ
FDS4435BZ VBSEMI/微碧半导体
品牌:
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
FDS4435BZ
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
品牌:ON Semiconductor
库存:0
货期: 7~10工作日
FDS4435BZ
Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
品牌:
库存:0
货期: 7~10工作日
FDS4435BZ
Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
品牌:onsemi
库存:0
货期: 7~10工作日
FDS4435BZ
Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
品牌:APTINA IMAGING
库存:0
货期: 7~10工作日
FDS4435BZ
品牌:APTINA IMAGING
库存:0
货期: 7~10工作日
FDS4435BZ
场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, -8.8A, SOIC-8
品牌:onsemi
库存:0
货期: 7~10工作日
FDS4435BZ
Days to ship 9
品牌:onsemi
库存:0
货期: 7~10工作日
FDS4435BZ
Days to ship 3
品牌:onsemi
库存:0
货期: 7~10工作日
FDS4435BZ
P-Channel 30 V 20 m? Surface Mount PowerTrench Mosfet - SOIC-8
品牌:onsemi
库存:0
货期: 7~10工作日
FDS4435BZ
P-Channel 30 V 20 m? Surface Mount PowerTrench Mosfet - SOIC-8
品牌:onsemi
库存:0
货期: 7~10工作日
FDS4435BZ
MOSFET, P-CH, -30V, -8.8A, SOIC-8
品牌:onsemi
库存:0
货期: 7~10工作日
属性 | 参数值 |
---|---|
品牌: | onsemi |
包装: | 散装,剪切带(CT),卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | PowerTrench® |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | P 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 30 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 8.8A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 20 毫欧 8.8A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 3V 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 40 nC 10 V |
Vgs(最大值): | ±25V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 1845 pF 15 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 2.5W(Ta) |
工作温度: | -55°C # 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | 8-SOIC |
封装/外壳: | 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽) |
温度: | -55°C # 150°C(TJ) |
型号:
品牌:
供货:锐单
单价:
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00