自营
FDC637AN
FDC637AN VBSEMI/台湾微碧半导体
品牌：VBsemi
库存：1000 +
货期： 1~2工作日
FDC637AN
FDC637AN VBSEMI/台湾微碧半导体
品牌：VBsemi
库存：1000 +
货期： 1~2工作日
FDC637AN
FDC637AN UDU SEMICONDUTOR
品牌：UDU SEMICONDUTOR
库存：1000 +
货期： 1~2工作日
FDC637AN
FDC637AN TECH PUBLIC/台湾台舟电子
品牌：TECH PUBLIC
库存：1000 +
货期： 1~2工作日
FDC637AN
FDC637AN VBSEMI/微碧半导体
品牌：
库存：1000 +
货期： 1~2工作日
DigiKey
Mouser
艾睿
FDC637AN
Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
品牌：ON Semiconductor
库存：0
货期： 7~10工作日
FDC637AN
Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
FDC637AN
Days to ship 8
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
FDC637AN
Days to ship 9
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
FDC637AN
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
FDC637AN
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | onsemi |
| 包装: | 散装,剪切带（CT）,卷带（TR） |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | PowerTrench® |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 6.2A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 2.5V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 24 毫欧 6.2A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 1.5V 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 16 nC 4.5 V |
| Vgs（最大值）: | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 1125 pF 10 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 1.6W（Ta） |
| 工作温度: | -55°C # 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | SuperSOT™-6 |
| 封装/外壳: | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 温度: | -55°C # 150°C（TJ） |
型号：
品牌：
供货：锐单
单价：
货期：1-2天
单价：￥0.00总价：￥0.00