FQB8N60CTM

自营

FQB8N60CTM

MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK

品牌:ON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥17.324494
最低起订

自营

FQB8N60CTM

MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK

品牌:ON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 800+ ¥8.922308
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DigiKey

FQB8N60CTM

MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK

品牌:ON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 800+ ¥15.417718
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FQB8N60CTM

MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK

品牌:ON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥25.947642
最低起订

FQB8N60CTM

MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK

品牌:ON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥25.95053
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Mouser

FQB8N60CTM

MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK

品牌:ON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ 需询价
最低起订

艾睿

FQB8N60CTM

Trans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

品牌:

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 800+ ¥11.614039
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FQB8N60CTM

Trans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

品牌:ON Semiconductor

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥22.125832
最低起订

FQB8N60CTM

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: QFET®
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7.5A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.2 欧姆 3.75A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 36 nC 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1255 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 3.13W(Ta),147W(Tc)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: D²PAK(TO-263)
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
温度: -55°C # 150°C(TJ)

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