FCH190N65F-F155

自营

FCH190N65F-F155

MOSFET N-CH 650V 20.6A TO247

品牌:ON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥53.958859
最低起订

自营

FCH190N65F-F155

MOSFET N-CH 650V 20.6A TO247

品牌:ON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 450+ ¥17.162552
最低起订

DigiKey

FCH190N65F-F155

MOSFET N-CH 650V 20.6A TO247

品牌:ON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 450+ ¥29.656832
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FCH190N65F-F155

MOSFET N-CH 650V 20.6A TO247

品牌:ON Semiconductor

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ 需询价
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Mouser

FCH190N65F-F155

MOSFET N-CH 650V 20.6A TO247

品牌:ON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥101.077417
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艾睿

FCH190N65F-F155

Trans MOSFET N-CH 650V 20.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

品牌:

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 450+ ¥25.489559
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FCH190N65F-F155

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 管件
封装/外壳: *
系列: FRFET®, SuperFET® II
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 20.6A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 190 毫欧 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 2mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 78 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3225 pF 100 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 208W(Tc)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247-3
封装/外壳: TO-247-3
温度: -55°C # 150°C(TJ)

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