FQU2N90TU-WS

自营

FQU2N90TU-WS

MOSFET N-CH 900V 1.7A IPAK

品牌:ON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥3.737126
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FQU2N90TU-WS

MOSFET N-CH 900V 1.7A IPAK

品牌:ON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ 需询价
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DigiKey

FQU2N90TU-WS

MOSFET N-CH 900V 1.7A IPAK

品牌:ON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ 需询价
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FQU2N90TU-WS

MOSFET N-CH 900V 1.7A IPAK

品牌:ON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥18.317256
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Mouser

FQU2N90TU-WS

MOSFET N-CH 900V 1.7A IPAK

品牌:ON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥23.130569
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艾睿

FQU2N90TU-WS

Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

品牌:

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 5040+ ¥5.931004
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FQU2N90TU-WS

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: Tube,Tube
封装/外壳: *
系列: QFET®
零件状态: Active
FET 类型: N-Channel
技术: MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压(Vdss): 900 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.7A (Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 7.2Ohm 850mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 15 nC 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 500 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
工作温度: -55°C # 150°C (TJ)
安装类型: Through Hole
供应商器件封装: I-PAK
封装/外壳: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
温度: -55°C # 150°C (TJ)

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供货:锐单

库存: MPQ:4000 MOQ:1

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