FDS6575

自营

FDS6575

MOSFET P-CH 20V 10A 8-SO

品牌:ON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥15.117823
最低起订

FDS6575

P沟道 20V 13A

品牌:VBsemi

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥2.678242
最低起订

DigiKey

FDS6575

MOSFET P-CH 20V 10A 8-SO

品牌:ON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 2500+ ¥8.850371
最低起订

FDS6575

MOSFET P-CH 20V 10A 8-SO

品牌:ON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥18.41047
最低起订

FDS6575

MOSFET P-CH 20V 10A 8-SO

品牌:ON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥2.616942
最低起订

Mouser

FDS6575

MOSFET P-CH 20V 10A 8-SO

品牌:ON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥21.706172
最低起订

艾睿

FDS6575

Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC T/R

品牌:

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 2500+ ¥8.866055
最低起订

FDS6575

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: PowerTrench®
零件状态: 在售
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 2.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 13 毫欧 10A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 74 nC 4.5 V
Vgs(最大值): ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 4951 pF 10 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 2.5W(Ta)
工作温度: -55°C # 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-SOIC
封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
温度: -55°C # 175°C(TJ)

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供货:锐单

库存: MPQ:4000 MOQ:1

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