自营
FDC6306P
FDC6306P VBSEMI/台湾微碧半导体
品牌：VBsemi
库存：1000 +
货期： 1~2工作日
FDC6306P
FDC6306P VBSEMI/台湾微碧半导体
品牌：VBsemi
库存：1000 +
货期： 1~2工作日
FDC6306P
FDC6306P JSMICRO/深圳杰盛微
品牌：JSMSEMI
库存：1000 +
货期： 1~2工作日
DigiKey
Mouser
艾睿
FDC6306P
Trans MOSFET P-CH 20V 1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
品牌：ON Semiconductor
库存：0
货期： 7~10工作日
FDC6306P
场效应管, MOSFET, P沟道, 20V, 1.9A, SUPERSOT-6
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
FDC6306P
Days to ship 12
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
FDC6306P
Days to ship 11
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
FDC6306P
Dual P-Channel 20 V 0.170 Ohm 2.5 V Specified PowerTrench Mosfet SSOT-6
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
FDC6306P
Dual P-Channel 20 V 0.170 Ohm 2.5 V Specified PowerTrench Mosfet SSOT-6
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
FDC6306P
onsemi P沟道增强型MOS管, Vds=20 V, 1.9 A, SOT-23, 贴片安装, 6引脚, FDC6306P
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
FDC6306P
onsemi P沟道增强型MOS管, Vds=20 V, 1.9 A, SOT-23, 贴片安装, 6引脚, FDC6306P
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
FDC6306P
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | onsemi |
| 包装: | 剪切带（CT）,卷带（TR） |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | PowerTrench® |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 功能: | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss）: | 20V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 1.9A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 170 毫欧 1.9A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 1.5V 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 4.2nC 4.5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 441pF 10V |
| 功率 - 最大值: | 700mW |
| 工作温度: | -55°C # 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商器件封装: | SuperSOT™-6 |
| 温度: | -55°C # 150°C（TJ） |
型号：
品牌：
供货：锐单
单价：
货期：1-2天
单价：￥0.00总价：￥0.00