FGA60N65SMD
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
品牌:ON Semiconductor
库存:0
货期: 7~10工作日
FGA60N65SMD
晶体管, IGBT, 650V, 120A, TO-3PN
品牌:onsemi
库存:0
货期: 7~10工作日
FGA60N65SMD
品牌:onsemi
库存:0
货期: 7~10工作日
FGA60N65SMD
IGBT, 650V, 120A, TO-3PN
品牌:onsemi
库存:0
货期: 7~10工作日
FGA60N65SMD
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube / IGBT 650V 120A 600W TO3P
品牌:onsemi
库存:0
货期: 7~10工作日
FGA60N65SMD
onsemi 650 V 120 A IGBT, 3引脚, 通孔安装, N通道
品牌:onsemi
库存:0
货期: 7~10工作日
FGA60N65SMD
onsemi 650 V 120 A IGBT, 3引脚, 通孔安装, N通道
品牌:onsemi
库存:0
货期: 7~10工作日
属性 | 参数值 |
---|---|
品牌: | onsemi |
包装: | 管件 |
封装/外壳: | * |
系列: | |
零件状态: | 在售 |
IGBT 类型: | 场截止 |
电压 - 集射极击穿(最大值): | 650 V |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): | 120 A |
电流 - 集电极脉冲 (Icm): | 180 A |
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): | 2.5V 15V,60A |
功率 - 最大值: | 600 W |
开关能量: | 1.54mJ(开),450µJ(关) |
输入类型: | 标准 |
栅极电荷: | 189 nC |
25°C 时 Td(开/关)值: | 18ns/104ns |
测试条件: | 400V,60A,3 欧姆,15V |
反向恢复时间 (trr): | 47 ns |
工作温度: | -55°C # 175°C(TJ) |
安装类型: | 通孔 |
封装/外壳: | TO-3P-3,SC-65-3 |
供应商器件封装: | TO-3P |
温度: | -55°C # 175°C(TJ) |
型号:
品牌:
供货:锐单
单价:
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00