自营
FDN5630
该款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23封装，适用于60V电压系统，具备3A大电流处理能力。具有低导通电阻与快速开关特性，广泛应用于充电器、电源转换等领域，实现高效、稳定的功率控制及转换功能。
品牌：
库存：1000 +
货期： 1~2工作日
DigiKey
Mouser
艾睿
FDN5630
Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
品牌：
库存：0
货期： 7~10工作日
FDN5630
场效应管, MOSFET, N, SMD, SSOT-3
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
FDN5630
场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 1.7A, 3-SSOT, 整卷
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
FDN5630
Days to ship 10
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
FDN5630
Days to ship 9
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
FDN5630
N-Channel 60 V 0.5 W 100 mOhm 10 nC SMT PowerTrench Mosfet - SSOT-3
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
FDN5630
N-Channel 60 V 0.5 W 100 mOhm 10 nC SMT PowerTrench Mosfet - SSOT-3
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
FDN5630
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
FDN5630
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
FDN5630
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | onsemi |
| 包装: | 散装,剪切带（CT）,卷带（TR） |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | PowerTrench® |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 1.7A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 100 毫欧 1.7A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 3V 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 10 nC 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 400 pF 15 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 500mW（Ta） |
| 工作温度: | -55°C # 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | SOT-23-3 |
| 封装/外壳: | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 温度: | -55°C # 150°C（TJ） |
型号：
品牌：
供货：锐单
单价：
货期：1-2天
单价：￥0.00总价：￥0.00