自营
销售单价： 1+ ￥9.473943
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FQB30N06LTM
品牌：Tokmas
库存：1000 +
货期： 1~2工作日
销售单价： 1+ ￥6.326889
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销售单价： 1+ ￥6.5219
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自营
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DigiKey
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Mouser
销售单价： 1+ ￥19.901174
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艾睿
FQB30N06LTM
Trans MOSFET N-CH 60V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
品牌：
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 800+ ￥8.21785
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FQB30N06LTM
Trans MOSFET N-CH 60V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
品牌：
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 1+ ￥18.3496
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FQB30N06LTM
场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 32A, TO263AB-3
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 1+ ￥13.233313
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FQB30N06LTM
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | onsemi |
| 包装: | 剪切带（CT）,卷带（TR） |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | QFET® |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 32A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 35 毫欧 16A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2.5V 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 20 nC 5 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 1040 pF 25 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 3.75W（Ta），79W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C # 175°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | D²PAK（TO-263） |
| 封装/外壳: | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 温度: | -55°C # 175°C（TJ） |
型号：
品牌：
供货：锐单
库存： MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00