HGT1S10N120BNST
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
品牌:
库存:0
货期: 7~10工作日
属性 | 参数值 |
---|---|
品牌: | onsemi |
包装: | 剪切带(CT),卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | |
零件状态: | 在售 |
IGBT 类型: | NPT |
电压 - 集射极击穿(最大值): | 1200 V |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): | 35 A |
电流 - 集电极脉冲 (Icm): | 80 A |
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): | 2.7V 15V,10A |
功率 - 最大值: | 298 W |
开关能量: | 320µJ(开),800µJ(关) |
输入类型: | 标准 |
栅极电荷: | 100 nC |
25°C 时 Td(开/关)值: | 23ns/165ns |
测试条件: | 960V,10A,10 欧姆,15V |
反向恢复时间 (trr): | - |
工作温度: | -55°C # 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
供应商器件封装: | D²PAK(TO-263) |
温度: | -55°C # 150°C(TJ) |
型号:
品牌:
供货:锐单
单价:
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00