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艾睿
HGTP5N120BND
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 21A 167000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
品牌：
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 800+ ￥22.843792
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HGTP5N120BND
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | onsemi |
| 包装: | 管件 |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | |
| 零件状态: | 不适用于新设计 |
| IGBT 类型: | NPT |
| 电压 - 集射极击穿（最大值）: | 1200 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: | 21 A |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm): | 40 A |
| 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: | 2.7V 15V，5A |
| 功率 - 最大值: | 167 W |
| 开关能量: | 450µJ（开），390µJ（关） |
| 输入类型: | 标准 |
| 栅极电荷: | 53 nC |
| 25°C 时 Td（开/关）值: | 22ns/160ns |
| 测试条件: | 960V，5A，25 欧姆，15V |
| 反向恢复时间 (trr): | 65 ns |
| 工作温度: | -55°C # 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 封装/外壳: | TO-220-3 |
| 供应商器件封装: | TO-220-3 |
| 温度: | -55°C # 150°C（TJ） |
型号：
品牌：
供货：锐单
库存： MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
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