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IRLD120PBF
Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP
品牌：Vishay
库存：0
货期： 7~10工作日
IRLD120PBF
MOSFET 100V N-CH HEXFET HEXDI
品牌：VISHAY
库存：0
货期： 7~10工作日
IRLD120PBF
Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP
品牌：VISHAY
库存：0
货期： 7~10工作日
IRLD120PBF
Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP
品牌：VISHAY
库存：0
货期： 7~10工作日
IRLD120PBF
Days to ship 3
品牌：VISHAY
库存：0
货期： 7~10工作日
IRLD120PBF
Days to ship 8
品牌：VISHAY
库存：0
货期： 7~10工作日
IRLD120PBF
Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 1.3 A, HVMDIP封装, 通孔安装, 4引脚
品牌：VISHAY
库存：0
货期： 7~10工作日
IRLD120PBF
Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 1.3 A, HVMDIP封装, 通孔安装, 4引脚
品牌：VISHAY
库存：0
货期： 7~10工作日
IRLD120PBF
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | Vishay Siliconix |
| 包装: | 管件 |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 1.3A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 4V，5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 270 毫欧 780mA，5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2V 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 12 nC 5 V |
| Vgs（最大值）: | ±10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 490 pF 25 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 1.3W（Ta） |
| 工作温度: | -55°C # 175°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 供应商器件封装: | 4-HVMDIP |
| 封装/外壳: | 4-DIP（0.300，7.62mm） |
| 温度: | -55°C # 175°C（TJ） |
型号：
品牌：
供货：锐单
单价：
货期：1-2天
单价：￥0.00总价：￥0.00