销售单价： 1+ ￥4.849801
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自营
销售单价： 1+ ￥1.901345
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销售单价： 1+ ￥2.158156
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销售单价： 71+ ￥5.89238
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自营
销售单价： 3000+ ￥1.091078
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DigiKey
销售单价： 3000+ ￥2.669065
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销售单价： 1+ ￥7.858173
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销售单价： 1+ ￥7.858173
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Mouser
销售单价： 1+ ￥8.983073
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艾睿
IPN60R2K1CEATMA1
Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
品牌：
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 3000+ ￥2.779139
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IPN60R2K1CEATMA1
场效应管, MOSFET, N沟道, 600V, 6.8A, SOT-223-3
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 5+ ￥5.088728
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IPN60R2K1CEATMA1
Days to ship 3
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 5+ ￥5.880114
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IPN60R2K1CEATMA1
MOSFET, N-CH, 600V, 3.7A, SOT-223-3
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 5+ ￥5.477449
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IPN60R2K1CEATMA1
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | Infineon Technologies |
| 包装: | 散装,剪切带（CT）,卷带（TR） |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | CoolMOS™ |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 600 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 3.7A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 2.1 欧姆 800mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 3.5V 60µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 6.7 nC 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 140 pF 100 V |
| FET 功能: | 超级结 |
| 功率耗散（最大值）: | 5W（Tc） |
| 工作温度: | -40°C # 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | PG-SOT223-3 |
| 封装/外壳: | TO-261-4，TO-261AA |
| 温度: | -40°C # 150°C（TJ） |
型号：
品牌：
供货：锐单
库存： MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
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