IRF5305PBF
IRF5305PBF VBSEMI/台湾微碧半导体
品牌:VBsemi
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
IRF5305PBF
IRF5305PBF VBSEMI/台湾微碧半导体
品牌:VBsemi
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
IRF5305PBF
IRF5305PBF 英飞凌/INFINEON
品牌:
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
IRF5305PBF
IRF5305PBF 英飞凌/INFINEON
品牌:
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
IRF5305PBF
IRF5305PBF VBSEMI/台湾微碧半导体
品牌:VBsemi
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
IRF5305PBF
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
品牌:Infineon Technologies
库存:0
货期: 7~10工作日
IRF5305PBF
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
品牌:
库存:0
货期: 7~10工作日
IRF5305PBF
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
品牌:Infineon Technologies
库存:0
货期: 7~10工作日
IRF5305PBF
场效应管, MOSFET, P, TO-220 -55V -31A
品牌:Infineon
库存:0
货期: 7~10工作日
IRF5305PBF
品牌:Infineon
库存:0
货期: 7~10工作日
IRF5305PBF
品牌:Infineon
库存:0
货期: 7~10工作日
IRF5305PBF
品牌:Infineon
库存:0
货期: 7~10工作日
IRF5305PBF
MOSFET, P, -55V, -31A, TO-220
品牌:Infineon
库存:0
货期: 7~10工作日
属性 | 参数值 |
---|---|
品牌: | Infineon Technologies |
包装: | Tube |
封装/外壳: | * |
系列: | HEXFET® |
零件状态: | Active |
FET 类型: | P-Channel |
技术: | MOSFET (Metal Oxide) |
漏源电压(Vdss): | 55 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 31A (Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 60mOhm 16A, 10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 4V 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 63 nC 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 1200 pF 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 110W (Tc) |
工作温度: | -55°C # 175°C (TJ) |
安装类型: | Through Hole |
供应商器件封装: | TO-220AB |
封装/外壳: | TO-220-3 |
温度: | -55°C # 175°C (TJ) |
型号:
品牌:
供货:锐单
单价:
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00