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IRF7779L2TRPBF
Trans MOSFET N-CH Si 150V 67A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
品牌：Infineon Technologies
库存：0
货期： 7~10工作日
IRF7779L2TRPBF
场效应管, MOSFET, N沟道, 75V, 160A, DIRECTFET L8
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
IRF7779L2TRPBF
Days to ship 3
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
IRF7779L2TRPBF
Days to ship 8
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
IRF7779L2TRPBF
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
IRF7779L2TRPBF
Single N-Channel 150 V 11 mOhm 97 nC HEXFET Power Mosfet - DirectFET
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
IRF7779L2TRPBF
MOSFET, N-CH, 150V, 67A, DIRECTFET L8
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
IRF7779L2TRPBF
Infineon N沟道MOS管, Vds=150 V, 67 A, DirectFET2 大容器, 贴片安装, 15引脚, IRF7779L2TRPBF
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
IRF7779L2TRPBF
Infineon N沟道MOS管, Vds=150 V, 67 A, DirectFET2 大容器, 贴片安装, 15引脚, IRF7779L2TRPBF
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
IRF7779L2TRPBF
Infineon N沟道MOS管, Vds=150 V, 67 A, DirectFET2 大容器, 贴片安装, 15引脚, IRF7779L2TRPBF
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
IRF7779L2TRPBF
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | Infineon Technologies |
| 包装: | 剪切带（CT）,卷带（TR） |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | HEXFET® |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 150 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 67A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 11 毫欧 40A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 5V 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 150 nC 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 6660 pF 25 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 3.3W（Ta），125W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C # 175°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | DirectFET™ 等距 L8 |
| 封装/外壳: | DirectFET™ 等距 L8 |
| 温度: | -55°C # 175°C（TJ） |
型号：
品牌：
供货：锐单
单价：
货期：1-2天
单价：￥0.00总价：￥0.00