IRLR8729TRPBF

IRLR8729TRPBF

MOSFET N-CH 30V 58A DPAK

品牌:INFINEON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 10+ ¥3.724848
最低起订

IRLR8729TRPBF

MOSFET N-CH 30V 58A DPAK

品牌:INFINEON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥1.42296
最低起订

IRLR8729TRPBF

IRLR8729TRPBF VBSEMI/台湾微碧半导体

品牌:VBsemi

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 10+ ¥1.626412
最低起订

IRLR8729TRPBF

MOSFET N-CH 30V 58A DPAK

品牌:INFINEON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ 需询价
最低起订

IRLR8729TRPBF

MOSFET N-CH 30V 58A DPAK

品牌:INFINEON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 10+ ¥1.347476
最低起订

IRLR8729TRPBF

IRLR8729TRPBF VBSEMI/微碧半导体

品牌:

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 5+ ¥1.429435
最低起订

IRLR8729TRPBF

MOSFET N-CH 30V 58A DPAK

品牌:INFINEON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ 需询价
最低起订

自营

IRLR8729TRPBF

MOSFET N-CH 30V 58A DPAK

品牌:INFINEON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 4000+ ¥1.593263
最低起订

DigiKey

IRLR8729TRPBF

MOSFET N-CH 30V 58A DPAK

品牌:INFINEON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 4000+ ¥2.753153
最低起订

IRLR8729TRPBF

MOSFET N-CH 30V 58A DPAK

品牌:INFINEON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥7.790344
最低起订

IRLR8729TRPBF

MOSFET N-CH 30V 58A DPAK

品牌:INFINEON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥7.790344
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Mouser

IRLR8729TRPBF

MOSFET N-CH 30V 58A DPAK

品牌:INFINEON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥9.131216
最低起订

艾睿

IRLR8729TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 58A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

品牌:Infineon Technologies

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥4.071415
最低起订

IRLR8729TRPBF

场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 58A, TO-252AA

品牌:Infineon

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 5+ ¥6.507944
最低起订

IRLR8729TRPBF

Days to ship 8

品牌:Infineon

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 10+ ¥2.217313
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IRLR8729TRPBF

MOSFET, N-CH, 30V, 58A, TO-252AA

品牌:Infineon

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 5+ ¥6.741444
最低起订

IRLR8729TRPBF

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: HEXFET®
零件状态: 最后售卖
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 58A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 8.9 毫欧 25A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.35V 25µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 16 nC 4.5 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1350 pF 15 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 55W(Tc)
工作温度: -55°C # 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: D-Pak
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
温度: -55°C # 175°C(TJ)

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供货:锐单

库存: MPQ:4000 MOQ:1

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