IPB015N08N5ATMA1

自营

IPB015N08N5ATMA1

MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3

品牌:INFINEON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥66.437802
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IPB015N08N5ATMA1

MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3

品牌:INFINEON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

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自营

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MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3

品牌:INFINEON

库存:1000 +

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销售单价: 1000+ ¥28.399604
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DigiKey

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MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3

品牌:INFINEON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1000+ ¥49.074422
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IPB015N08N5ATMA1

MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3

品牌:INFINEON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥86.477388
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IPB015N08N5ATMA1

MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3

品牌:INFINEON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥86.477388
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Mouser

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MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3

品牌:INFINEON

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销售单价: 1+ ¥109.315701
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艾睿

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Trans MOSFET N-CH 80V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

品牌:

库存:0

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销售单价: 1000+ ¥50.874266
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IPB015N08N5ATMA1

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: OptiMOS™
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 180A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.5 毫欧 100A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.8V 279µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 222 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 16900 pF 40 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 375W(Tc)
工作温度: -55°C # 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TO263-7
封装/外壳: TO-263-7,D²Pak(6 引线 + 接片)
温度: -55°C # 175°C(TJ)

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