IXFP16N60P3

IXFP16N60P3

MOSFET N-CH 600V 16A TO220

品牌:IXYS

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥42.068826
最低起订

IXFP16N60P3

IXFP16N60P3 VBSEMI/台湾微碧半导体

品牌:VBsemi

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 10+ ¥7.316378
最低起订

自营

IXFP16N60P3

MOSFET N-CH 600V 16A TO220

品牌:IXYS

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥38.421969
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DigiKey

IXFP16N60P3

MOSFET N-CH 600V 16A TO220

品牌:IXYS

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥66.393034
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Mouser

IXFP16N60P3

MOSFET N-CH 600V 16A TO220

品牌:IXYS

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 300+ ¥59.938447
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IXFP16N60P3

属性 参数值
品牌: IXYS
包装: 管件
封装/外壳: *
系列: HiPerFET™, Polar3™
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 16A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 470 毫欧 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 1.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 36 nC 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1830 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 347W(Tc)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220-3
封装/外壳: TO-220-3
温度: -55°C # 150°C(TJ)

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供货:锐单

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