自营
IRF200P222
IRF200P222 英飞凌/INFINEON
品牌：
库存：1000 +
货期： 1~2工作日
IRF200P222
IRF200P222 英飞凌/INFINEON
品牌：
库存：1000 +
货期： 1~2工作日
自营
DigiKey
IRF200P222
MOSFET N-CH 200V 182A TO247AC
品牌：INFINEON
库存：0
货期： 7~10工作日
Mouser
艾睿
IRF200P222
Trans MOSFET N-CH 200V 182A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
品牌：Infineon Technologies
库存：0
货期： 7~10工作日
IRF200P222
场效应管, MOSFET, N沟道, 200V, 182A, 556W, TO-247AC
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
IRF200P222
Single N-Channel 200 V 6.6 mOhm 135 nC StrongIRFET IR Mosfet - TO-247AC
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
IRF200P222
MOSFET, N-CH, 200V, 182A, 556W, TO-247AC
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
IRF200P222
Infineon MOS管, Vds=200 V, 182 A, TO-247AC, SMD安装, IRF200P222
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
IRF200P222
Infineon MOS管, Vds=200 V, 182 A, TO-247AC, SMD安装, IRF200P222
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
IRF200P222
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | Infineon Technologies |
| 包装: | 管件 |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | StrongIRFET™ |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 200 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 182A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 6.6 毫欧 82A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4V 270µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 203 nC 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 9820 pF 50 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 556W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C # 175°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 供应商器件封装: | TO-247AC |
| 封装/外壳: | TO-247-3 |
| 温度: | -55°C # 175°C（TJ） |
型号：
品牌：
供货：锐单
单价：
货期：1-2天
单价：￥0.00总价：￥0.00