IRF8707TRPBF

IRF8707TRPBF

MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

品牌:INFINEON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 10+ ¥3.494304
最低起订

自营

IRF8707TRPBF

MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

品牌:INFINEON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 5+ ¥2.332207
最低起订

IRF8707TRPBF

MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

品牌:INFINEON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥6.757245
最低起订

IRF8707TRPBF

IRF8707TRPBF VBSEMI/台湾微碧半导体

品牌:VBsemi

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 5+ ¥1.96417
最低起订

IRF8707TRPBF

IRF8707TRPBF UDU SEMICONDUTOR

品牌:UDU SEMICONDUTOR

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 500+ ¥0.928724
最低起订

IRF8707TRPBF

MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

品牌:INFINEON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 10+ ¥1.72162
最低起订

IRF8707TRPBF

IRF8707TRPBF BYCHIP/百域芯

品牌:

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 10+ ¥1.446568
最低起订

IRF8707TRPBF

IRF8707TRPBF VBSEMI/微碧半导体

品牌:

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 15+ ¥1.55802
最低起订

IRF8707TRPBF

MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

品牌:INFINEON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥1.116648
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自营

IRF8707TRPBF

MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

品牌:INFINEON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 4000+ ¥1.313005
最低起订

DigiKey

IRF8707TRPBF

MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

品牌:INFINEON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 4000+ ¥2.268869
最低起订

IRF8707TRPBF

MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

品牌:INFINEON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥6.68625
最低起订

IRF8707TRPBF

MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

品牌:INFINEON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥6.68625
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Mouser

IRF8707TRPBF

MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

品牌:INFINEON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥8.671042
最低起订

艾睿

IRF8707TRPBF

Trans MOSFET N-CH Si 30V 11A 8-Pin SOIC T/R

品牌:

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥7.584789
最低起订

IRF8707TRPBF

Trans MOSFET N-CH Si 30V 11A 8-Pin SOIC T/R

品牌:

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 4000+ ¥2.230755
最低起订

IRF8707TRPBF

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: HEXFET®
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 11A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 11.9 毫欧 11A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.35V 25µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 9.3 nC 4.5 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 760 pF 15 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 2.5W(Ta)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-SO
封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
温度: -55°C # 150°C(TJ)

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供货:锐单

库存: MPQ:4000 MOQ:1

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