IRFD220PBF
Trans MOSFET N-CH 200V 0.8A 4-Pin HVMDIP
品牌:Vishay
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IRFD220PBF
MOSFET 200V N-CH HEXFET HEXDI
品牌:VISHAY
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场效应管, MOSFET, N, DIL
品牌:VISHAY
库存:0
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IRFD220PBF
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品牌:VISHAY
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品牌:VISHAY
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IRFD220PBF
Single N-Channel 200 V 0.8 Ohms Through Hole Power Mosfet - HVMDIP-4
品牌:VISHAY
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IRFD220PBF
MOSFET, N, DIL
品牌:VISHAY
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IRFD220PBF
品牌:VISHAY
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属性 | 参数值 |
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品牌: | Vishay Siliconix |
包装: | 管件 |
封装/外壳: | * |
系列: | |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 200 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 800mA(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 800 毫欧 480mA,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 4V 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 14 nC 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 260 pF 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 1W(Ta) |
工作温度: | -55°C # 150°C(TJ) |
安装类型: | 通孔 |
供应商器件封装: | 4-HVMDIP |
封装/外壳: | 4-DIP(0.300,7.62mm) |
温度: | -55°C # 150°C(TJ) |
型号:
品牌:
供货:锐单
单价:
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