IRF7456TRPBF
电池管理系统、电源开关及高效能电子设备设计,具有卓越的低导通电阻和快速开关性能,确保在各种应用场合下实现稳定高效的功率转换与控制。
品牌:JSMSEMI
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
IRF7456TRPBF
IRF7456TRPBF VBSEMI/微碧半导体
品牌:
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
IRF7456TRPBF
IRF7456TRPBF JSMICRO/深圳杰盛微
品牌:JSMSEMI
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
IRF7456TRPBF
IRF7456TRPBF BYCHIP/百域芯
品牌:
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
IRF7456TRPBF
Trans MOSFET N-CH 20V 16A 8-Pin SOIC T/R
品牌:
库存:0
货期: 7~10工作日
IRF7456TRPBF
Trans MOSFET N-CH 20V 16A 8-Pin SOIC T/R
品牌:Infineon
库存:0
货期: 7~10工作日
属性 | 参数值 |
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品牌: | Infineon Technologies |
包装: | 散装,剪切带(CT),卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | HEXFET® |
零件状态: | 最后售卖 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 20 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 16A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 2.8V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 6.5 毫欧 16A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2V 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 62 nC 5 V |
Vgs(最大值): | ±12V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 3640 pF 15 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 2.5W(Ta) |
工作温度: | -55°C # 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | 8-SO |
封装/外壳: | 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽) |
温度: | -55°C # 150°C(TJ) |
型号:
品牌:
供货:锐单
单价:
货期:1-2天
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