IRF640NPBF
MOS管 N-Channel VDS=200V VGS=±20V ID=30A RDS(ON)=152mΩ@4.5V TO220AB
品牌：VBsemi
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货期： 1~2工作日
自营
IRF640NPBF
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
库存：1000 +
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IRF640NPBF
IRF640NPBF 英飞凌/INFINEON
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IRF640NPBF
IRF640NPBF 英飞凌/INFINEON
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IRF640NPBF
IRF640NPBF VBSEMI/台湾微碧半导体
品牌：VBsemi
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IRF640NPBF JSMICRO/深圳杰盛微
品牌：JSMSEMI
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IRF640NPBF 英飞凌/INFINEON
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IRF640NPBF
IRF640NPBF 英飞凌/INFINEON
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IRF640NPBF
IRF640NPBF INFINEON TECHNOLOGIESSTM
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IRF640NPBF
IRF640NPBF 英飞凌/INFINEON
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IRF640NPBF
IRF640NPBF VBSEMI/台湾微碧半导体
品牌：VBsemi
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IRF640NPBF
IRF640NPBF 英飞凌/INFINEON
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IRF640NPBF
IRF640NPBF VBSEMI/台湾微碧半导体
品牌：VBsemi
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IRF640NPBF
IRF640NPBF VBSEMI/微碧半导体
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IRF640NPBF JSMICRO/深圳杰盛微
品牌：JSMSEMI
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IRF640NPBF
IRF640NPBF 国际整流器
品牌：
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自营
IRF640NPBF
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | Infineon Technologies |
| 包装: | 管件 |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | HEXFET® |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 200 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 18A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 150 毫欧 11A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4V 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 67 nC 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 1160 pF 25 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 150W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C # 175°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 供应商器件封装: | TO-220AB |
| 封装/外壳: | TO-220-3 |
| 温度: | -55°C # 175°C（TJ） |
型号：
品牌：
供货：锐单
单价：
货期：1-2天
单价：￥0.00总价：￥0.00