自营
DigiKey
IMW65R027M1HXKSA1
SILICON CARBIDE MOSFET
品牌：INFINEON
库存：0
货期： 7~10工作日
Mouser
艾睿
IMW65R027M1HXKSA1
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
品牌：Infineon Technologies
库存：0
货期： 7~10工作日
IMW65R027M1HXKSA1
场效应管, MOSFET, N沟道, 650V, 47A, TO-247
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
IMW65R027M1HXKSA1
Days to ship 3
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
IMW65R027M1HXKSA1
MOSFET, N-CH, 650V, 47A, TO-247
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
IMW65R027M1HXKSA1
Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=650 V, 47 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
IMW65R027M1HXKSA1
Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=650 V, 47 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
IMW65R027M1HXKSA1
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | Infineon Technologies |
| 包装: | 管件 |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | - |
| 技术: | - |
| 漏源电压（Vdss）: | - |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 47A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | - |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | - |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | - |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | - |
| Vgs（最大值）: | - |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | - |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | - |
| 工作温度: | - |
| 安装类型: | - |
| 供应商器件封装: | - |
| 封装/外壳: | - |
| 温度: | - |
型号：
品牌：
供货：锐单
单价：
货期：1-2天
单价：￥0.00总价：￥0.00