IRF7465TRPBF
IRF7465TRPBF VBSEMI/台湾微碧半导体
品牌:VBsemi
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
IRF7465TRPBF
IRF7465TRPBF JSMICRO/深圳杰盛微
品牌:JSMSEMI
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
IRF7465TRPBF
IRF7465TRPBF VBSEMI/台湾微碧半导体
品牌:VBsemi
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
IRF7465TRPBF
IRF7465TRPBF BYCHIP/百域芯
品牌:
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
IRF7465TRPBF
IRF7465TRPBF VBSEMI/微碧半导体
品牌:
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
IRF7465TRPBF
Trans MOSFET N-CH 150V 1.9A 8-Pin SOIC T/R
品牌:Infineon Technologies
库存:0
货期: 7~10工作日
属性 | 参数值 |
---|---|
品牌: | Infineon Technologies |
包装: | Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | HEXFET® |
零件状态: | Active |
FET 类型: | N-Channel |
技术: | MOSFET (Metal Oxide) |
漏源电压(Vdss): | 150 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 1.9A (Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 280mOhm 1.14A, 10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 5.5V 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 15 nC 10 V |
Vgs(最大值): | ±30V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 330 pF 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 2.5W (Ta) |
工作温度: | -55°C # 150°C (TJ) |
安装类型: | Surface Mount |
供应商器件封装: | 8-SO |
封装/外壳: | 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) |
温度: | -55°C # 150°C (TJ) |
型号:
品牌:
供货:锐单
单价:
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00