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IPD60R1K5CEAUMA1
Trans MOSFET N-CH 650V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
品牌：Infineon Technologies
库存：0
货期： 7~10工作日
IPD60R1K5CEAUMA1
场效应管, MOSFET, N沟道, 600V, 5A, TO-252
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
IPD60R1K5CEAUMA1
Days to ship 10
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
IPD60R1K5CEAUMA1
Days to ship 3
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
IPD60R1K5CEAUMA1
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
IPD60R1K5CEAUMA1
MOSFET, N-CH, 600V, 5A, TO-252
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
IPD60R1K5CEAUMA1
Infineon N沟道MOS管, Vds=600 V, 5 A, DPAK (TO-252), 贴片安装, 3引脚
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
IPD60R1K5CEAUMA1
Infineon N沟道MOS管, Vds=600 V, 5 A, DPAK (TO-252), 贴片安装, 3引脚
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
IPD60R1K5CEAUMA1
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | Infineon Technologies |
| 包装: | Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | CoolMOS™ |
| 零件状态: | Active |
| FET 类型: | N-Channel |
| 技术: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏源电压（Vdss）: | 650 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 5A (Tc) |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 1.5Ohm 1.1A, 10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 3.5V 90µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 9.4 nC 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 200 pF 100 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 49W (Tc) |
| 工作温度: | -40°C # 150°C (TJ) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 供应商器件封装: | PG-TO252-3 |
| 封装/外壳: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 温度: | -40°C # 150°C (TJ) |
型号：
品牌：
供货：锐单
单价：
货期：1-2天
单价：￥0.00总价：￥0.00