IRFR120TRPBF

IRFR120TRPBF

MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK

品牌:Vishay

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 10+ ¥8.678304
最低起订

自营

IRFR120TRPBF

MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK

品牌:Vishay

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥7.408689
最低起订

IRFR120TRPBF

MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK

品牌:Vishay

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 2000+ ¥4.880617
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IRFR120TRPBF

IRFR120TRPBF VBSEMI/台湾微碧半导体

品牌:VBsemi

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 10+ ¥1.930067
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IRFR120TRPBF

MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK

品牌:Vishay

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ 需询价
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IRFR120TRPBF

MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK

品牌:Vishay

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥4.724268
最低起订

IRFR120TRPBF

IRFR120TRPBF VBSEMI/微碧半导体

品牌:

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥1.837845
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自营

IRFR120TRPBF

MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK

品牌:Vishay

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 2000+ ¥4.530878
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DigiKey

IRFR120TRPBF

MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK

品牌:Vishay

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 2000+ ¥7.829342
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IRFR120TRPBF

MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK

品牌:Vishay

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥18.92589
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IRFR120TRPBF

MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK

品牌:Vishay

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥18.92589
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Mouser

IRFR120TRPBF

MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK

品牌:Vishay

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销售单价: 1+ ¥20.924127
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艾睿

IRFR120TRPBF

Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

品牌:

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 2000+ ¥8.487229
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IRFR120TRPBF

MOSFET 100V N-CH HEXFET D-PAK

品牌:VISHAY

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 2000+ ¥4.677264
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IRFR120TRPBF

场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 7.7A, TO-252

品牌:VISHAY

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥12.717437
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IRFR120TRPBF

Days to ship 9

品牌:VISHAY

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 2000+ ¥2.508943
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IRFR120TRPBF

Single N-Channel 100 V 0.27 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TO-252

品牌:VISHAY

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 2000+ ¥5.66617
最低起订

IRFR120TRPBF

属性 参数值
品牌: Vishay Siliconix
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7.7A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 270 毫欧 4.6A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 16 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 360 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 2.5W(Ta),42W(Tc)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: D-Pak
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
温度: -55°C # 150°C(TJ)

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