IRL100HS121

IRL100HS121

MOSFET N-CH 100V 11A 6PQFN

品牌:INFINEON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥29.649719
最低起订

IRL100HS121

MOSFET N-CH 100V 11A 6PQFN

品牌:INFINEON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥3.5574
最低起订

自营

IRL100HS121

MOSFET N-CH 100V 11A 6PQFN

品牌:INFINEON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 4000+ ¥3.031922
最低起订

DigiKey

IRL100HS121

MOSFET N-CH 100V 11A 6PQFN

品牌:INFINEON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 4000+ ¥7.416886
最低起订

IRL100HS121

MOSFET N-CH 100V 11A 6PQFN

品牌:INFINEON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥17.509301
最低起订

IRL100HS121

MOSFET N-CH 100V 11A 6PQFN

品牌:INFINEON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥17.509301
最低起订

Mouser

IRL100HS121

MOSFET N-CH 100V 11A 6PQFN

品牌:INFINEON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥18.795212
最低起订

艾睿

IRL100HS121

Trans MOSFET N-CH Si 100V 5.1A 6-Pin PQFN EP T/R

品牌:

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥16.569293
最低起订

IRL100HS121

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 11A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 42 毫欧 6.7A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.3V 10µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 5.6 nC 4.5 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 440 pF 50 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 11.5W(Tc)
工作温度: -55°C # 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 6-PQFN 双通道(2x2)
封装/外壳: 6-PowerVDFN
温度: -55°C # 175°C(TJ)

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供货:锐单

库存: MPQ:4000 MOQ:1

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