IRF9317TRPBF

IRF9317TRPBF

MOSFET P-CH 30V 16A 8SO

品牌:INFINEON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 10+ ¥10.93235
最低起订

自营

IRF9317TRPBF

MOSFET P-CH 30V 16A 8SO

品牌:INFINEON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥6.807689
最低起订

IRF9317TRPBF

MOSFET P-CH 30V 16A 8SO

品牌:INFINEON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥3.699696
最低起订

IRF9317TRPBF

MOSFET P-CH 30V 16A 8SO

品牌:INFINEON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 4000+ ¥4.882293
最低起订

IRF9317TRPBF

MOSFET P-CH 30V 16A 8SO

品牌:INFINEON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥9.367653
最低起订

IRF9317TRPBF

IRF9317TRPBF VBSEMI/台湾微碧半导体

品牌:VBsemi

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 10+ ¥3.484386
最低起订

自营

IRF9317TRPBF

MOSFET P-CH 30V 16A 8SO

品牌:INFINEON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 4000+ ¥2.816974
最低起订

DigiKey

IRF9317TRPBF

MOSFET P-CH 30V 16A 8SO

品牌:INFINEON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 4000+ ¥6.891063
最低起订

IRF9317TRPBF

MOSFET P-CH 30V 16A 8SO

品牌:INFINEON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥15.609066
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IRF9317TRPBF

MOSFET P-CH 30V 16A 8SO

品牌:INFINEON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥15.609066
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Mouser

IRF9317TRPBF

MOSFET P-CH 30V 16A 8SO

品牌:INFINEON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥15.913601
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艾睿

IRF9317TRPBF

Trans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin SOIC N T/R

品牌:

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 4000+ ¥3.973966
最低起订

IRF9317TRPBF

品牌:Infineon

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 4000+ ¥4.063214
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IRF9317TRPBF

Single P-Channel 30 V 10.2 mOhm 31 nC HEXFET Power Mosfet - SOIC-8

品牌:Infineon

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 4000+ ¥3.519261
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IRF9317TRPBF

品牌:Infineon

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货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 4000+ ¥3.636571
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IRF9317TRPBF

Infineon P沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 16 A, SOIC, 贴片安装, 8引脚, IRF9317TRPBF

品牌:Infineon

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1000+ ¥6.048174
最低起订

IRF9317TRPBF

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: HEXFET®
零件状态: 在售
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 16A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 6.6 毫欧 16A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.4V 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 92 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2820 pF 15 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 2.5W(Ta)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-SO
封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
温度: -55°C # 150°C(TJ)

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供货:锐单

库存: MPQ:4000 MOQ:1

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