IRLHM620TRPBF
IRLHM620TRPBF VBSEMI/微碧半导体
品牌:
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
IRLHM620TRPBF
Trans MOSFET N-CH 20V 26A 8-Pin PQFN EP T/R
品牌:Infineon Technologies
库存:0
货期: 7~10工作日
IRLHM620TRPBF
Trans MOSFET N-CH 20V 26A T/R
品牌:Infineon
库存:0
货期: 7~10工作日
IRLHM620TRPBF
Trans MOSFET N-CH 20V 26A T/R
品牌:Infineon
库存:0
货期: 7~10工作日
IRLHM620TRPBF
90004001,场效应管, MOSFET, N沟é“, 20V, 40A, 150度 C, 37W
品牌:Infineon
库存:0
货期: 7~10工作日
IRLHM620TRPBF
Days to ship 10
品牌:Infineon
库存:0
货期: 7~10工作日
IRLHM620TRPBF
Days to ship 3
品牌:Infineon
库存:0
货期: 7~10工作日
IRLHM620TRPBF
MOSFET, N-CH, 20V, 40A, 150DEG C, 37W
品牌:Infineon
库存:0
货期: 7~10工作日
IRLHM620TRPBF
Infineon N沟道MOS管, Vds=20 V, 40 A, PQFN, 贴片安装, IRLHM620TRPBF
品牌:Infineon
库存:0
货期: 7~10工作日
IRLHM620TRPBF
Infineon N沟道MOS管, Vds=20 V, 40 A, PQFN, 贴片安装, IRLHM620TRPBF
品牌:Infineon
库存:0
货期: 7~10工作日
属性 | 参数值 |
---|---|
品牌: | Infineon Technologies |
包装: | 剪切带(CT),卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | HEXFET® |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 20 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 26A(Ta),40A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 2.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 2.5 毫欧 20A,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 1.1V 50µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 78 nC 4.5 V |
Vgs(最大值): | ±12V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 3620 pF 10 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 2.7W(Ta),37W(Tc) |
工作温度: | -55°C # 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | PQFN(3x3) |
封装/外壳: | 8-PowerTDFN |
温度: | -55°C # 150°C(TJ) |
型号:
品牌:
供货:锐单
单价:
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00