IXFN82N60Q3

自营

IXFN82N60Q3

品牌:

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥388.125703
最低起订

自营

IXFN82N60Q3

MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227

品牌:IXYS

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥421.378295
最低起订

DigiKey

IXFN82N60Q3

MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227

品牌:IXYS

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥728.140285
最低起订

Mouser

IXFN82N60Q3

MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227

品牌:IXYS

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥837.301223
最低起订

艾睿

IXFN82N60Q3

Trans MOSFET N-CH 600V 66A 4-Pin SOT-227B

品牌:

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 10+ ¥821.059842
最低起订

IXFN82N60Q3

属性 参数值
品牌: IXYS
包装: Tube
封装/外壳: *
系列: HiPerFET™, Q3 Class
零件状态: Active
FET 类型: N-Channel
技术: MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压(Vdss): 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 66A (Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 75mOhm 41A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 6.5V 8mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 275 nC 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 13500 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 960W (Tc)
工作温度: -55°C # 150°C (TJ)
安装类型: Chassis Mount
供应商器件封装: SOT-227B
封装/外壳: SOT-227-4, miniBLOC
温度: -55°C # 150°C (TJ)

锐单logo

型号:

品牌:

供货:锐单

库存: MPQ:4000 MOQ:1

单价:

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥0.00

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台