IPP60R022S7XKSA1

IPP60R022S7XKSA1

MOSFET N-CH 600V

品牌:INFINEON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥109.42272
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自营

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MOSFET N-CH 600V

品牌:INFINEON

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MOSFET N-CH 600V

品牌:INFINEON

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MOSFET N-CH 600V

品牌:INFINEON

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MOSFET N-CH 600V

品牌:INFINEON

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MOSFET N-CH 600V

品牌:INFINEON

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MOSFET N-CH 600V

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MOSFET N-CH 600V

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MOSFET N-CH 600V

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自营

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MOSFET N-CH 600V

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DigiKey

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MOSFET N-CH 600V

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Mouser

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MOSFET N-CH 600V

品牌:INFINEON

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艾睿

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IPP60R022S7XKSA1

场效应管, MOSFET, N沟道, 600V, 23A, TO-220

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IPP60R022S7XKSA1

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MOSFET, N-CH, 600V, 23A, TO-220

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IPP60R022S7XKSA1

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 管件
封装/外壳: *
系列: CoolMOS™S7
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 23A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 12V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 22 毫欧 23A,12V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V 1.44mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 150 nC 12 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 5639 pF 300 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 390W(Tc)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: PG-TO220-3-1
封装/外壳: TO-220-3
温度: -55°C # 150°C(TJ)

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